这使得国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平2022-04-17 14:56:06 来源:中国经济网 阅读量:5734
导读:本报讯国内头部碳化硅器件研发企业清纯半导体日前宣布发布国内首款15V驱动的1200VSiCMosfet器件平台产品,这使得国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平首款1200V75mΩSiCMosfet...
本报讯 国内头部碳化硅器件研发企业清纯半导体日前宣布发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet器件平台产品,这使得国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单,之后将陆续推出该平台下的系列规格产品 在双碳目标指引下,我国新能源行业进入跨越式发展阶段,也催生出了巨大的功率器件市场SiC功率器件正成为新一代电力转换的核心器件,已在新能源汽车,光伏逆变器,储能等领域获得广泛应用 清纯半导体为国内领先的碳化硅功率器件设计和供应商,去年年底宣布完成高瓴创投领投的数亿元首轮融资公司拥有国际领先的研发团队,始终瞄准国际技术前沿,以提供国际一流的碳化硅功率芯片为己任 公司成立一年来,技术与产品发展迅速,目前已突破国产SiC功率器件设计及大规模制造瓶颈,在极短时间内先后开发出自主知识产权的SiC二极管及Mosfet器件产品,产品先后通过车规级可靠性测试,是目前国内能够在SiC器件核心性能和可靠性方面达到国际一流水平并且基于国内产线量产SiC Mosfet的领导企业。 随着美国半导体供应状况的恶化,现代汽车据称本周早些时候向美国亚利桑那州凤凰城派遣了高管,检查了具体情况。 声明:本网转发此文章,旨在为读者提供更多信息资讯,所涉内容不构成投资、消费建议。文章事实如有疑问,请与有关方核实,文章观点非本网观点,仅供读者参考。 上一篇:华为支付与华为Pay不一样以
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